存储芯片巨头一夜蒸发430亿美元，SK海力士三星跌超13%，业绩创新高为何股价暴跌？

来源：腾讯科技 苏阳

7月28日，海外存储芯片巨头集体陷入风暴眼，合计市值一夜蒸发近430亿美元。

在刚刚过去的交易日，SK海力士、美光等存储龙头的股价走势堪称“惊魂一夜”。SK海力士与三星电子双双跌超13%，合计市值蒸发约280亿美元；美光周二下跌8.85%，SanDisk暴跌14.25%，希捷下挫8.53%，西部数据跌超6.9%，累计市值损失约148亿美元。

周二，首尔韩亚银行交易室的屏幕上显示着KOSPI基准指数以及三星电子、SK海力士的收盘价。

公开数据显示，SK海力士较6月高点已回撤约45%至47%，市值损失近6000亿美元；美光科技较高点回撤超30%；日本铠侠在一个月内市值缩水近半。

与股价暴跌形成鲜明对比的是，这些存储巨头刚刚交出了史上最优成绩单。

业绩创新高，股价为何反向暴跌？

7月7日，三星电子发布二季度初步业绩，当季营业利润达89.4万亿韩元，同比暴涨18倍，甚至超过2023年至2025年的利润总和。然而这份惊艳财报不仅未能提振股价，反而导致三星日内暴跌超10%，并拖累KOSPI指数近5%。

同样的反常现象也出现在其他巨头身上。

7月29日，SK海力士公布二季度财报，营收79.3万亿韩元，同比增长257%；营业利润60.5万亿韩元，同比增长557%，营业利润率升至76%。

截至2026年5月的财季，美光科技实现营收415亿美元，同比激增346%，毛利率飙升至84.6%，自由现金流达176亿美元。美光管理层甚至放言：“需求远超供应能力，这种情况将持续到2028年。”

基本面火热之际，存储龙头股价却断崖式下跌。第一个线索乃至潜在导火索，是SK海力士在美发行ADR引发的跨市场套利交易——“做多美国存托凭证、做空韩国本地股票”。

彭博社援引瑞银提供给客户的报告称，此前未将韩国上市的SK海力士纳入投资标的的全球投资组合经理，如今可以购买新发行的SK海力士ADR。

瑞银在报告中写道：“从首日买入美国存托凭证并卖出韩国普通股，看起来是一笔无风险交易。”

另一刺激因素与韩国的监管调整有关。

7月16日，韩国金融服务委员会突然宣布收紧单只股票杠杆ETF监管，将最低保证金要求从1000万韩元大幅上调至3000万韩元，并限制每人每次最多买入20股。

摩根大通分析师Nikolaos Panigirtzoglou指出，当时芯片杠杆ETF的持仓市值是普通股票ETF的三倍。价格下跌时，杠杆ETF的强制再平衡机制触发程序化自动抛售，瞬间酿成“资金踩踏”。

当日，SK海力士跌超11%，三星跌超8%，恐慌浪潮迅速席卷欧美。

拉长来看，近期存储概念股回调还与市场对硅谷巨头AI投资及相关资本支出“投资回报失衡”的担忧有关。

7月22日，谷歌发布二季度财报并将全年资本支出预期从1800亿美元上调至1900亿至2050亿美元，但盘后及次日股价下跌，主因是高企的资本支出持续压制自由现金流，AI投资回报存在不确定性。这也是微软、亚马逊和Meta共同面临的问题。

评级机构穆迪也及时发出警告：每年近1万亿美元的AI军备竞赛正迫使谷歌、微软等现金充裕的巨头过度依赖债务及表外融资，六大云服务提供商的直接债务总额已达约4600亿美元。

这意味着只要巨头指引稍有不及预期，市场就会对高度敏感的HBM供应链股票重新定价。

新韩证券分析师姜振和总结称：“随着投资者注意力重新转向AI投资周期的可持续性，以及对中国存储产业竞争力的担忧升温，市场的风险规避情绪已被彻底点燃。”

多重因素叠加，共同导致了7月28日存储概念股的“黑色星期二”。

渣打银行首席投资官Sundeep Gantori表示，当前抛售潮反映出市场对半导体板块整体情绪的恶化，部分机构甚至在最新研究报告中预测存储价格将在2027年见顶。

“大空头”Burry为何重仓做空存储？

在市场情绪最恐慌的时刻，“大空头”原型Michael Burry通过个人专栏公开披露，他正在重仓做空存储芯片板块，并持续加仓。

回溯Burry的建仓轨迹：7月2日，他首次以约105.18美元的价格建立美光科技空头仓位；7月25日，他继续加仓美光（股价93.39美元）和英伟达（股价210.28美元），同时建立SOXX半导体ETF的空头仓位。

Burry重仓做空存储主要基于三点：

第一，估值严重偏离均值。作为美股市场唯一的纯DRAM标的，美光在42年历史上曾出现34次跌幅超30%的情况。目前其股价偏离200日移动平均线的幅度已达1984年以来最高，甚至超过2000年互联网泡沫顶峰。

第二，资本回报极为平庸。美光的长期ROIC（投入资本回报率）中位数仅4%，ROE（净资产收益率）仅7%，历史上约三分之一的季度处于“资本毁灭”状态。

第三，终端需求存在虚高风险。Burry坚信，由英伟达引发的强劲需求并非全部来自真实终端消费，而是由表外融资和资本周期安排驱动，并以国际清算银行（BIS）2026年度报告作为佐证。

针对韩国巨头近期公布的扩产计划，Burry断言：这是半导体周期从繁荣转向萧条的“重大转折点”，预测整个板块将面临至少30%的回调。

不过市场也存在反对声音。看多者认为，美光刚刚发布的季报是公司史上最亮眼的一次，营收、利润率与现金流均创历史新高。

科技媒体CoinCentral的分析指出，Burry押注的真正逻辑并非赌终端需求立即崩溃，而是赌存储厂商的资本支出已经失控——美光自身270亿美元的资本支出正在为下一轮下行周期的“崩盘”埋下种子。

韩国超级扩产计划与历史级订单

就在“踩踏”发生前几周，全球存储行业还沉浸在一场史无前例的“超级联盟”氛围中。

在7月24日至25日于旧金山举行的AI峰会上，SK集团与英伟达签署超5000亿美元长期协议，确保HBM供应并联合开发HBM4，同时还与微软、Anthropic达成合作，总规模约7500亿美元。

三星电子则与博通签署高达2000亿美元的谅解备忘录。外媒将两项合计约9500亿美元的大单称为史上最大规模长期半导体供应锁定。

与此同时，AMD收购MEXT试图用闪存“伪装”DRAM以降低内存成本，Meta与SanDisk则锁定了多年NAND供应。

硅谷巨头的新一轮结盟并未对存储概念股形成正面提振。相比短期股价波动，真正让长期投资者不安的是韩国政府6月底推出的超级产业计划——三星与SK集团将联合投资800万亿韩元（约5160亿美元），在韩国西南部新建四座晶圆厂，目标五年内将存储芯片产能翻倍。

加上配套的550万亿韩元HBM封装枢纽及数据中心建设，整体投资规模达1350万亿韩元（约8800亿美元），相当于韩国2024年GDP的5%。

存储厂商的扩产意味着行业维持两年的“控产模式”及严格财务纪律已被打破。

过去两年，存储厂商通过严控产能并将产线转向高利润HBM，成功将芯片价格拉回高位。如今，SK海力士2026年资本支出预计大幅跃升43%至40万亿韩元，美光2026财年资本支出也预计同比翻倍。

晨星分析师Jing Jie Yu警告，随着这些新产能在2027年至2028年陆续上线，行业必将面临严重的价格侵蚀。

分析机构AInvest指出，厂商扩产已不再是AI需求驱动的胜利游行，而是2022年至2023年产能过剩崩盘周期的重演。

虽然晶圆厂从建设到投产通常需要18至24个月，三星P5工厂的大规模量产排期在2027年下半年，TrendForce也判断在此之前DRAM的供需失衡不太可能根本扭转，但股市始终交易的是预期而非当下。

可以说，韩国超级扩产计划粉碎了市场对“芯片高价可持续”的幻想。存储板块的“惊魂一夜”，本质上是基本面与预期的脱节。

如今，敏感的资金市场已开始提前为2027年的潜在过剩定价。按照“大空头”Burry的预期，2027年下半年至2028年韩国新厂集中量产的时间窗口，才是存储行业真正的考验。

风险关注点

从近期暴跌看，存储芯片板块面临多重风险叠加：一是韩国杠杆ETF监管收紧与强制再平衡机制可能继续放大波动；二是SK海力士ADR与韩股之间的跨市场套利交易对本地股价形成持续压制；三是谷歌、微软等硅谷巨头AI资本支出高企但回报不确定，一旦指引不及预期，HBM供应链将首当其冲；四是韩国8800亿美元扩产计划打破行业纪律，2027年后价格下行风险显著上升。

后续观察指标

投资者可重点关注以下信号：2027年下半年三星P5工厂量产进度及良率爬坡情况；HBM4技术迭代与英伟达、博通等大客户订单兑现节奏；硅谷六大云厂商季度资本支出指引与自由现金流变化；以及DRAM和NAND现货价格、库存周转天数是否提前进入下行通道。这些指标将决定当前市场对产能过剩的定价是否过度。